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參數資料
型號: SUP60N10-18P-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 7/8頁
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描述: MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
標準包裝: 500
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18.3 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 50V
功率 - 最大: 3.75W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220AB
包裝: 帶卷 (TR)
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