TO-251-3L; TO-220-3L;TO-92-3L; TO-252-2L
SVD1N60M/T/D N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用S-RinTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn) ? 1A,600V
? 低柵極電荷量 ? 低反向傳輸電容 ? 開(kāi)關(guān)速度快 ? 提升了dv/dt 能力
封裝形式:
SVD1N60M TO-251-3L SVD1N60 TO-92-3L SVD1N60T TO-220-3L SVD1N60D TO-252-2L SVD1N60DTR TO-252-2L編帶 |