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場效應管 XZ2110

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供應場效應管 XZ2110

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發布日期： 2010年10月04日

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場效應管 XZ2110的詳細信息

MOS -> N-MOS
The XZ2110 is the N-Channel logIC enhancement mode power field effect ransistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.