1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進行高密度實裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。6：實現高速動作。7：標準型取得UL，CSA規(guī)格。8：超聲波清洗對應，備用1繞組閉鎖型和2繞組閉鎖型。備有完全對應IRS，VPS的表面安裝型。

型號： A3W-K A5W-K A12W-K A24W-K AL3W-K AL5W-K AL12W-K AL24W-K ALD3W-K ALD5W-K ALD12W-K ALD24W-K