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品牌IXYS型號IXFN130N30
類別直插封裝形式SOT

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  • 發布日期: 2011年06月20日
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IXFN130N30全新現貨IXYS代理IXFN130N30功率MOSFET 封裝SOT -227B

部分編號:IXFN130N30
描述:高電壓的Q -級HiPerFETs(高達1200V)
配置:單
封裝形式:采用SOT -至227B

特點
?國際標準封裝
?miniBLOC與鋁,氮化物
隔離
?低RDS(ON)HDMOSTM過程
?堅固的多晶硅柵單元結構
?非鉗位感應開關(UIS)的
額定
?低電感封裝
?快速內在整流器
應用
?DC - DC變換器
?電池充電器
?交換模式和諧振模式
電源供應器
?直流斬波器
?溫度和照明控制
優勢
?易于安裝
?節省空間
?高功率密度

 


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