產(chǎn)品詳細(xì)說明K4T1G164QF-BCE7技術(shù)參數(shù)：制造廠商：SAMSUNG 產(chǎn)品類別： DDR2 工作電壓： 工作溫度：存儲介質(zhì)類別： I/O接口位寬: x 8bit 存儲密度：損壞區(qū)塊： 芯片版本：芯片特征： 封裝類型： BGA 封裝材料： 無鉛 K4T1G164QF-BCE7技術(shù)特征： K4T1G164QF-BCE7是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，K4T1G164QF-BCE7與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獽4T1G164QF-BCE7內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，K4T1G164QF-BCE7內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。