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• 標準包裝：1
  類別：分離式半導體產品
  家庭：FET - 單
  系列：HEXFET?
  FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  FET 特點：邏輯電平門
  漏極至源極電壓(Vdss)：20V
  電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：780mA
  開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
  Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
  閘電荷(Qg) @ Vgs：3.6nC @ 4.45V
  輸入電容 (Ciss) @ Vds：97pF @ 15V
  功率 - 最大：540mW
  安裝類型：表面貼裝
  封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
  包裝：剪切帶 (CT)
  其它名稱：*IRLML6302TRIRLML6302IRLML6302-NDIRLML6302CT