| 型號(hào) | IRF7832TR | 廠家 | IR |
| 封裝 | SOP | | |
深圳星宇佳科技有限公司
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以實(shí)際PDF為準(zhǔn) - 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：20A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.32V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：51nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：4310pF @ 15V
功率 - 最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：Digi-Reel?
其它名稱：IRF7832DKR
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