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原廠SI4378DY-T1-E3價格最低
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,原廠SI4378DY-T1-E3價格最低

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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2015年10月21日
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型號SI4378DY-T1-E3廠家VISHAY
批號1123封裝SOP8
SI4378DY-T1-E3參數(shù)
連續(xù)漏極電流: 19 A
漏源極擊穿電壓: 20 V
漏源導(dǎo)通電阻: 27 mOhms
晶體管極性: N-Channel
柵源極擊穿電壓 : 12 V
最大工作溫度: + 150 C
功率耗散: 1.6 W
下降時間: 65 ns
最小工作溫度: - 55 C
上升時間: 65 ns
SI4378DY-T1-E3特性
.根據(jù)IEC 61249-2-21為無鹵
.超低導(dǎo)通電阻使用高密度TrenchFET?創(chuàng)第二功率MOSFET技術(shù)
.線路優(yōu)化
.100% Rg測試
SI4378DY-T1-E3應(yīng)用程序
.同步整流
.荷載點
SI4378DY-T1-E3一般描述
表面貼裝小腳功率場效應(yīng)管使用
集成電路和小信號包
已經(jīng)被修改為傳熱能力
所需的電力設(shè)備。引線框架材料和
設(shè)計、成型化合物和死附加材料
改變,而包的足跡依然存在
相同的。
SI4378DY-T1-E3尺寸圖

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