IMP3253ESA產品介紹
IMP3253ESA是一種高壓、高速功率MOSFET 和IGBT柵極驅動器，內部集成了高壓半橋 驅動電路和一個前置振蕩器，形成一款多 功能，更加安全一用的功率驅動芯片。如 圖2所示就是芯片的結構框圖，管腳CT具 有保護關斷功能，可以用一個的電壓信號 使驅動器停止輸出。此外，輸出脈沖的寬 度保持一直，一旦VDD上電超過開啟閾值， 驅動器就能以更加穩定的頻率振蕩。同時， 通過降低柵極驅動的di/dt的峰值，增加欠 壓閉鎖閾值的遲滯電壓道1V，從而使電路 的抗噪聲性能有答復提高。
IMP3253ESA特性
1、內部集成600V高壓半橋驅動器
2、VDD到GND之間有15.6V鉗位齊納管
3、超低啟動電流
4、內部死區時間控制，并且有低溫度特性
5、CT管腳實現保護關斷功能
6、增加欠壓保護的遲滯電壓（1V）
7、啟動階段Vlo和Vho輸出脈沖寬度恒定
8、更低的柵極驅動峰值（di/dt）以提高抗干擾能力
9、低壓輸出端信號邏輯和RT端相同
10、綠色無鉛產品
IMP3253ESA絕對最大值范圍
絕對最大值范圍是指各種工作、儲藏等操作中的最大限定值，如果超出這個限定就會對芯片產生傷害。其中所有的電壓值都是相對于GND端的絕對值電壓, 所有電流都是正向流進負載的電流。
IMP3253ESA電氣參數
VBIAS (VCC, VBS) = 12V, CL = 1000 pF, CT = 1 nF ，溫度= 25°C。其中 VIN、VTH、 IIN、 VO 和 IO 等信號時相對于GND端的信號。而VO和IO還各自對應了 HO或者 LO兩個高低輸出。
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