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NVD5865NLT4G ON 分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 單
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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 寶安區
  • 發布日期: 2017年06月08日
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類型分立半導體產品品牌ON
零件編號 SVD5865NLT4GOSTR-ND
制造商
ON SemIConductor
制造商零件編號
SVD5865NLT4G
無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 10A(Ta),46A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),71W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 16 毫歐 @ 19A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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