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FP25R12KE3
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  • 發布日期: 2017年06月18日
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型號FP25R12KE3廠家INFINEON
批號1617+封裝IGBT

產品種類:IGBT 模塊
制造商:Infineon
RoHS:
產品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
集電極—射極飽和電壓:1.7 V
在25 C的連續集電極電流:40 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
Pd-功率耗散:150 W
封裝 / 箱體:EconoPIM2
最大工作溫度:+ 125 C
商標:Infineon Technologies
高度:17 mm
長度:107.5 mm
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
最小工作溫度:- 40 C
安裝風格:Screw
工廠包裝數量:10
寬度:45 mm
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