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IPB042N10N3G只做原裝，假一罰十
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，IPB042N10N3G只做原裝，假一罰十

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  • 發布日期： 2017年06月29日
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型號IPB042N10N3G廠家NFINEON
批號1617+封裝SOT263
數據列表
其它名稱IPB042N10N3 G-ND 
IPB042N10N3G 
IPB042N10N3GATMA1 
SP000446880 

規格
FET 類型N 溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）117nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）8410pF @ 50V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）214W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）4.2 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
供應商器件封裝PG-TO263-3
封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

公司:瀚佳科技（深圳）有限公司

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