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以下是,SIS407DN-T1-GE3 VISHAY分立半導體產品,類型:分立半導體產品 品牌:VISHAY ,請點擊“詢價”
-SIS407DN-T1-GE3	VISHAY分立半導體產品 類型:分立半導體產品 品牌:VISHAY-買賣IC網
SIS407DN-T1-GE3 VISHAY分立半導體產品
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,SIS407DN-T1-GE3 VISHAY分立半導體產品

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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 寶安區
  • 發布日期: 2017年08月28日
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類型分立半導體產品品牌VISHAY
Digi-Key 零件編號 SIS407DN-T1-GE3TR-ND
現有數量 15,000 
可立即發貨 
制造商
Vishay SilIConix
制造商零件編號
SIS407DN-T1-GE3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 25A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 93.8nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2760pF @ 10V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),33W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 9.5 毫歐 @ 15.3A,4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8
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