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存儲器MT47H256M8EB-25E:C DRAM
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  • 發(fā)布日期: 2018年04月13日
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類型集成電路(IC)  
MT47H256M8EB-25E:C介紹:
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術 SDRAM - DDR2
存儲容量 2Gb (256M x 8)
時鐘頻率 400MHz
寫周期時間 - 字,頁 15ns
訪問時間 400ps
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度 0°C ~ 85°C(TC)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 60-TFBGA
供應商器件封裝 60-FBGA(9x11.5)
基本零件編號 MT47H256M8

由于電容不可能長期保持電荷不變,必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作,以保持電荷穩(wěn)定,這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應用的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時,DMA控制器送出到刷新地址信號,對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作,每讀一次刷新一行。

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