FDA24N40F介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 UniFET??
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 400V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 23A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 60nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3030pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 235W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 11.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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