BSF083N03LQG介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 13A（Ta），53A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），36W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8.3 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 MG-WDSON-2，CanPAK M?
封裝/外殼 3-WDSON
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。