NTB6410ANG介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 76A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 188W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 13 毫歐 @ 76A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關常用。晶體管是規范操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊。