BSO301SP介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 12.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 136nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5890pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.79W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 14.9A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-DSO-8
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。