IPP028N08N介紹：
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 通孔 N 溝道 80V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.8 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 206nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 14200pF @ 40V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
因為晶體管的低成本和后來的電子計算機、數字化信息的浪潮來到了。由于計算機提供快速的查找、分類和處理數字信息的能力，在信息數字化方面投入了越來越多的精力。
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