SI7742DP-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 SkyFET?，TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.5 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 115nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5300pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5.4W（Ta），83W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
免責聲明： 以上所展示的信息由企業自行提供，內容的真實性、準確性和合法性由發布企業負責。買賣IC網對此不承擔任何保證責任。
以上是，晶體管 SI7742DP-T1-GE3 MOSFET - 單，類型:分立半導體產品的信息