RN4984FE,LF(CT介紹：
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
晶體管類型 1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 發射極基底（R2） 47 千歐
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA
電流 - 集電極截止（最大值） 100nA（ICBO）
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 最大值 100mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝 ES6
晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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