類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.4毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 253μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） +5V，-16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 137W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-3-1
封裝/外殼 TO-220-3
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