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MOSFET管 SI4435DDY-T1-GE3 代理原裝現(xiàn)貨
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，MOSFET管 SI4435DDY-T1-GE3 代理原裝現(xiàn)貨

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  • 供貨總量： 100000個(gè)
  • 點(diǎn)此詢價(jià)
  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2020年10月07日
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類型MOSFET管品牌VISHAY
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 50 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI4
晶體管類型: 1 P-Channel
商標(biāo): Vishay SemIConductors
正向跨導(dǎo) - 最小值: 23 S
下降時(shí)間: 12 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 45 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
零件號(hào)別名: SI4435DDY-GE3
單位重量: 187 mg
圖文
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