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TB1351FTG(DRY,EL)

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    TB1351FTG(DRY,EL)

    TB1351FTG(DRY,EL)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • TOSHIBA

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TB1351FTG(DRY,EL) 技術參數
  • TB-133.330MBD-T 功能描述:133.33MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:TB 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:MEMS(硅) 頻率:133.33MHz 功能:啟用/禁用 輸出:CMOS 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩定度:±25ppm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源(最大值):30mA 等級:- 安裝類型:表面貼裝 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬(5.00mm x 3.20mm) 高度:0.032"(0.80mm) 封裝/外殼:4-SMD,無引線(DFN,LCC) 電流 - 電源(禁用)(最大值):- 標準包裝:1 TB1300M-13-F 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 導通:160V 電壓 - 斷態:120V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖(8/20μs):250A 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 電流 - 保持(Ih):150mA 元件數:1 電容:90pF 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 標準包裝:1 TB1300M-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 導通:160V 電壓 - 斷態:120V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖(8/20μs):250A 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 電流 - 保持(Ih):150mA 元件數:1 電容:90pF 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 標準包裝:3,000 TB1300L-13-F 功能描述:THYRISTOR PROTECT 30A BIDIR SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 導通:160V 電壓 - 斷態:120V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖(8/20μs):150A 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):30A 電流 - 保持(Ih):150mA 元件數:1 電容:60pF 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 標準包裝:3,000 TB1300H-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 100A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 導通:160V 電壓 - 斷態:120V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖(8/20μs):400A 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):100A 電流 - 保持(Ih):150mA 元件數:1 電容:120pF 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 標準包裝:3,000 TB-14.7456MCD-T TB-14.7456MCE-T TB-14.7456MDD-T TB-14.7456MDE-T TB1401610000G TB14016100J0G TB1421600000G TB14216000J0G TB-15 TB-15.000MBD-T TB-15.000MBE-T TB-15.000MCD-T TB-15.000MCE-T TB-15.000MDD-T TB-15.000MDE-T TB-15.8682MBD-T TB-15.8682MBE-T TB-15.8682MCD-T
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