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TB1821600000G

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TB1821600000G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
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品牌IC供應商電話010-621049...

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TB1821600000G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

TB1821600000G 技術參數

TB1800M-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 導通:220V 電壓 - 斷態:160V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖（8/20μs）:250A 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:50A 電流 - 保持（Ih）:150mA 元件數:1 電容:90pF 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 標準包裝:3,000 TB1800L-13-F 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 30A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 導通:220V 電壓 - 斷態:160V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖（8/20μs）:150A 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:30A 電流 - 保持（Ih）:150mA 元件數:1 電容:60pF 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 標準包裝:3,000 TB1800H-13 功能描述:THYRISTOR PROTECT BIDIR 100A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 導通:220V 電壓 - 斷態:160V 電壓 - 通態:3.5V 電流 - 峰值脈沖（8/20μs）:400A 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:100A 電流 - 保持（Ih）:150mA 元件數:1 電容:120pF 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 標準包裝:3,000 TB-18.432MBD-T 功能描述:18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:TB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:MEMS（硅）頻率:18.432MHz 功能:啟用/禁用輸出:CMOS 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩定度:±25ppm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大值）:25mA 等級:- 安裝類型:表面貼裝大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）高度:0.032"（0.80mm）封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）電流 - 電源（禁用）（最大值）:- 標準包裝:1 TB-16.384MBD-T 功能描述:16.384MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:TB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:MEMS（硅）頻率:16.384MHz 功能:啟用/禁用輸出:CMOS 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩定度:±25ppm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大值）:25mA 等級:- 安裝類型:表面貼裝大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm）高度:0.032"（0.80mm）封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）電流 - 電源（禁用）（最大值）:- 標準包裝:1 TB-19.440MBE-T TB-19.440MCD-T TB-19.440MCE-T TB-19.440MDD-T TB-19.440MDE-T TB1901610000G TB19016100J0G TB1921600000G TB19216000J0G TB1-D TB2 TB-2 TB-20.000MBD-T TB-20.000MBE-T TB-20.000MCD-T TB-20.000MCE-T TB-20.000MDD-T TB-20.000MDE-T