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TE28F128J3D-75代替JS28F128J3D-75

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TE28F128J3D-75代替JS28F128J3D-75
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室，新中發電子市場B1303-b1305柜臺
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TE28F128J3D-75代替JS28F128J3D-75 技術參數

TE28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128J3C150SL759 功能描述:IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 TE2500B22RJ 功能描述:RES CHAS MNT 22 OHM 5% 2500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:22 容差:±5% 功率（W）:2500W 成分:繞線溫度系數:±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:2.362" 直徑 x 23.622" 長（60.00mm x 600.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標準包裝:6 TE2500B1R0J 功能描述:RES CHAS MNT 1 OHM 5% 2500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:1 容差:±5% 功率（W）:2500W 成分:繞線溫度系數:±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:2.362" 直徑 x 23.622" 長（60.00mm x 600.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標準包裝:6 TE28F160C3TD70A TE28F256J3C125SL7HD TE28F256J3D95A TE28F256J3D95B TE28F256J3D95B TR TE28F256J3F105A TE28F256P30B95A TE28F256P30BFA TE28F256P30T95A TE28F256P30TFA TE28F256P33B95A TE28F256P33BFA TE28F256P33T95A TE28F256P33TFA TE28F320C3BD70 TE28F320C3TD70A TE28F320J3C110SL7H8 TE28F320J3D75A