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TE28F800B3BA110

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  • TE28F800B3BA110
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • INT

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  • 最新批號(hào)

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  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • TE28F800B3BA110
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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:馬先生

    電話(huà):19166264056

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 920

  • INtEL/英特爾

  • TSSOP48

  • 22+

  • -
  • 授權(quán)代理直銷(xiāo),原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

  • TE28F800B3BA110
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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:周小姐

    電話(huà):1916620305713760272017

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 920

  • INtEL/英特爾

  • TSSOP48

  • 22+

  • -
  • 授權(quán)代理直銷(xiāo),原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

  • TE28F800B3BA110
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTEL

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話(huà):19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1435

  • INTEL

  • TSOP

  • 06+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • TE28F800B3BA110
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  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話(huà):0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 1791

  • INTEL

  • TSOP

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

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  • 制造商
  • INTEL
  • 制造商全稱(chēng)
  • Intel Corporation
  • 功能描述
  • 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F800B3BA110 技術(shù)參數(shù)
  • TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線(xiàn)) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):CAV24C32WE-GT3OSTR TE28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) TE28F640J3D75B 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ TE300B18RJ TE300B1K0J TE300B1K2J TE300B1K5J TE300B1K8J TE300B1R0J TE300B1R2J TE300B1R5J TE300B1R8J TE300B220RJ TE300B22RJ TE300B270RJ TE300B27RJ TE300B2R2J TE300B2R7J TE300B330RJ TE300B33RJ TE300B390RJ
配單專(zhuān)家

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