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TE28F800CE-B120

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TE28F800CE-B120
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
INTEL
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假一罰十，百分百原裝正品

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TE28F800CE-B120 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

TE28F800CE-B120 技術參數

TE28F800C3BD70 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線）電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR TE28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) TE300B1K0J TE300B1K2J TE300B1K5J TE300B1K8J TE300B1R0J TE300B1R2J TE300B1R5J TE300B1R8J TE300B220RJ TE300B22RJ TE300B270RJ TE300B27RJ TE300B2R2J TE300B2R7J TE300B330RJ TE300B33RJ TE300B390RJ TE300B39RJ