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TH58NVG6S2FTA20

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市大源實業科技有限公司
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  • 深圳市一線半導體有限公司
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  • 深圳市一線半導體有限公司
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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • NAND FLASH MEMORY - Rail/Tube
TH58NVG6S2FTA20 技術參數
  • TH58NVG5S0FTA20 功能描述:IC FLASH 32GBIT 25NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 TH58NVG4S0FTA20 功能描述:IC FLASH 16GBIT 25NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 TH58BYG2S3HBAI6 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:4GB SLC BENAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V (EEPROM) 2K PAGE - Trays TH4C476K010C0500 功能描述:47μF Molded Tantalum Capacitors 10V 2413 (6032 Metric) 500 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) 制造商:vishay sprague 系列:TANTAMOUNT? TH4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電容:47μF 容差:±10% 電壓 - 額定:10V ESR（等效串聯電阻）:500 毫歐 類型:模制 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2413（6032 公制） 大小/尺寸:0.236" 長 x 0.126" 寬（6.00mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm） 引線間距:- 制造商尺寸代碼:C 特性:通用 不同溫度時的使用壽命:- 標準包裝:1 TH4C226K016C1400 功能描述:22μF Molded Tantalum Capacitors 16V 2413 (6032 Metric) 1.4 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) 制造商:vishay sprague 系列:TANTAMOUNT? TH4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 電容:22μF 容差:±10% 電壓 - 額定:16V ESR（等效串聯電阻）:1.4 歐姆 類型:模制 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2413（6032 公制） 大小/尺寸:0.236" 長 x 0.126" 寬（6.00mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm） 引線間距:- 制造商尺寸代碼:C 特性:通用 不同溫度時的使用壽命:- 標準包裝:1 TH71101ENE-CAA-000-SP TH71101ENE-CAA-000-TR TH71102ENE-BAA-000-RE TH71111ENE-BAA-000-RE TH71111ENE-BAA-000-TR TH71112ENE-BAA-000-RE TH71112ENE-BAA-000-TR TH71221ELQ-BAA-000-RE TH71221ELQ-BAA-000-SP TH71221ELQ-BAA-000-TU TH7122ENE-BAA-000-RE TH7122ENE-BAA-000-SP TH7122ENE-BAA-000-TR TH72001KDC-BAA-000-RE TH72001KDC-BAA-000-SP TH72001KDC-BAA-000-TU TH72002KDC-BAA-000-RE TH72002KDC-BAA-000-SP
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