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TPCC8005-H(TE12LQM

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功能描述
MOSFET MOSFET 30V 26A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

TPCC8005-H(TE12LQM 技術參數

TPCC8002-H(TE12L,Q 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-TSON 標準包裝:3,000 TPCB02593-6-RMM-AGDP-L 功能描述:ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A 制造商:nearson inc. 系列:- 零件狀態:有效標準包裝:50 TPC-75 功能描述:FUSE RECTANGULAR 75A 80VDC BLADE 制造商:eaton 系列:Telpower? TPC 包裝:散裝零件狀態:有效保險絲類型:矩形額定電流:75A 額定電壓 - AC:- 額定電壓 - DC:80V 響應時間:- 應用:電信特性:指示類別:- 認可:CE，UR 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:100kA 安裝類型:支座封裝/外殼:葉片類型，模塊大小/尺寸:1.846" 長 x 0.547" 寬 x 1.824" 高（46.89mm x 13.89mm x 46.34mm）融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 TPC-60 功能描述:FUSE RECTANGULAR 60A 80VDC BLADE 制造商:eaton 系列:Telpower? TPC 包裝:散裝零件狀態:有效保險絲類型:矩形額定電流:60A 額定電壓 - AC:- 額定電壓 - DC:80V 響應時間:- 應用:電信特性:指示類別:- 認可:CE，UR 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:100kA 安裝類型:支座封裝/外殼:葉片類型，模塊大小/尺寸:1.846" 長 x 0.547" 寬 x 1.824" 高（46.89mm x 13.89mm x 46.34mm）融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 TPC-50 功能描述:FUSE RECTANGULAR 50A 80VDC BLADE 制造商:eaton 系列:Telpower? TPC 包裝:散裝零件狀態:有效保險絲類型:矩形額定電流:50A 額定電壓 - AC:- 額定電壓 - DC:80V 響應時間:- 應用:電信特性:指示類別:- 認可:CE，UR 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:100kA 安裝類型:支座封裝/外殼:葉片類型，模塊大小/尺寸:1.846" 長 x 0.547" 寬 x 1.824" 高（46.89mm x 13.89mm x 46.34mm）融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 TPCDS-BBE-1 TPCDS-BBM-3 TPCDS-BSE-1 TPCDS-BSE-3 TPCDS-BSM-1 TPCDS-BSM-2 TPCDS-BSM-3 TPCDS-SSE-3 TPCE5-51-10M-01 TPCE5-51-10M-19 TPCE5-51-4M-01 TPCE5-51-4M-19 TPCE5-51-6M-01 TPCE5-51-6M-19 TPCE5-51-8M-01 TPCE5-51-8M-19 TPCF11CGPC0 TPCF11FGRA0