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TPS1120YD

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  • 型號
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  • 封裝
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  • TPS1120YD
    TPS1120YD

    TPS1120YD

    現貨
  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TI

  • SOP8

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現貨！

  • TPS1120YD
    TPS1120YD

    TPS1120YD

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 2657

  • TI

  • SOP8

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現貨，支持BOM配單！

  • TPS1120YD
    TPS1120YD

    TPS1120YD

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • TI/德州儀器

  • SOP8

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • TPS1120YD
    TPS1120YD

    TPS1120YD

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 250000

  • TI

  • SOP8

  • 最新批次

  • -

  • 百分百原裝質量保障

  • TPS1120YD
    TPS1120YD

    TPS1120YD

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知

  • 2715

  • TI

  • SOP8

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • TPS1120YD
    TPS1120YD

    TPS1120YD

  • 深圳市訊順達科技有限公司
    深圳市訊順達科技有限公司

    聯系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐

    電話：0755-827272340755-23915567

    地址：深圳市福田區華強北路1019號華強廣場A座15KL

    資質：營業執照

  • 4200

  • TI

  • 原廠封裝

  • 23+

  • -

  • 全新原裝歡迎詢價下單

  • TPS1120YD
    TPS1120YD

    TPS1120YD

  • 深圳市品業電子有限公司
    深圳市品業電子有限公司

    聯系人：李小姐

    電話：0755-23895664

    地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55

  • 72826

  • TI

  • SOP8

  • 16+

  • -

  • 只做原裝正品 現貨 價格優勢

  • 1/1頁 40條/頁 共24條 
  • 1
TPS1120YD PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • TI
  • 制造商全稱
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1120YD 技術參數
  • TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.18A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:16-TSSOP 標準包裝:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.27A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 TPS2000CDGKR TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD
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