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TPS12

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

TPS120808
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

TPS12S521DBTR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66880
TI
SSOP
22+
-
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

TPS12S521DBTR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66880
TI
SSOP
22+
-
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

TPS1204
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7140
TI
QFN16
1234+
-
原裝現(xiàn)貨/特價

TPS1204
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
218
TI
QFN16
2012+
-
只做原裝正品。

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： TPS-15L TPS1H000AQDGNRQ1 TPS1H100AQPWPRQ1 TPS1H100BQPWPRQ1 TPS1H100EVM TPS-1L TPS-1LB TPS2000CDGK TPS2000CDGKR

TPS12 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

TPS12 技術(shù)參數(shù)

TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.18A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.27A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4