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TPS1550P

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  • TPS1550P
    TPS1550P

    TPS1550P

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人:張育豪 13360528695

    電話:0755-23607487

    地址:深圳市福田區華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質:營業執照

  • 5000

  • TI/德州儀器

  • TSOP

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現貨

  • TPS1550P
    TPS1550P

    TPS1550P

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • TI

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
TPS1550P PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
TPS1550P 技術參數
  • TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):15V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.17A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):15V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.17A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):15V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:710mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:16-TSSOP 標準包裝:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):15V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):15V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.27A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:504mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4
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