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TPS19118DBVR

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價格
說明
操作

TPS19118DBVR
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18530
TI
SOT265
24+
-
全新原裝正品現貨

TPS19118DBVR
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
TI
SOT265
07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

TPS19118DBVR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
TI
SOT265
最新批次
-
百分百原裝質量保障

TPS19118DBVR
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
1630
TI
SOT265
2012+
-
只做原裝正品。

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： TPS1H000AQDGNRQ1 TPS1H100AQPWPRQ1 TPS1H100BQPWPRQ1 TPS1H100EVM TPS-1L TPS-1LB TPS2000CDGK TPS2000CDGKR TPS2000CDGN

TPS19118DBVR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

TPS19118DBVR 技術參數

TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.18A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:16-TSSOP 標準包裝:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.27A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4 TPS2010ADR