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TSHG6200_07

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制造商
VISHAY
制造商全稱
Vishay Siliconix
功能描述
High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero

TSHG6200_07 技術參數

TSHG6200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHF5410 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長:890nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 視角:44° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHF5210 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長:890nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHA4400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.5V 100mA 12mW/sr @ 100mA 40° Radial, 3mm Dia (T-1) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:12mW/sr @ 100mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:40° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，3mm 直徑（T-1）標準包裝:5,000 TSH95IYDT 功能描述:運算放大器 - 運放 Video Op-Amp STBY 4.5mA 150MHz 4mV RoHS:否制造商:STMicroelectronics 通道數量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel TSI107D-133LE TSI107D-133LEY TSI108-200CL TSI108-200CLY TSI109-200CL TSI109-200CLY TSI109-200IL TSI109-200ILY TSI10H100CW C0G TSI10H120CW C0G TSI10H150CW C0G TSI10H200CW C0G TSI10L200CW C0G TSI110-167CL TSI110-167CLY TSI148-133CL TSI148-133CLY TSI148-133IL