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TSI107C-10JE

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TSI107C-10JE
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9892
MOT
BGA
10+
-
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TSI107C-10JE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

TSI107C-10JE 技術參數

TSI107C-100JE 功能描述:接口 - 專用 RoHS:否制造商:Texas Instruments 產品類型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作電源電壓:1.8 V 電源電流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:BGA-59 TSHG8400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 830nm 1.5V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長:830nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:44° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHG8200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 830nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長:830nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHG6400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:44° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHG6200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSI109-200ILY TSI10H100CW C0G TSI10H120CW C0G TSI10H150CW C0G TSI10H200CW C0G TSI10L200CW C0G TSI110-167CL TSI110-167CLY TSI148-133CL TSI148-133CLY TSI148-133IL TSI148-133ILY TSI20H100CW C0G TSI20H120CW C0G TSI20H150CW C0G TSI20H200CW C0G TSI220B1RL TSI301-400CE