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1N1184

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 功能描述
  • 整流器 100V 35A Std. Recovery
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復時間
  • 1.2 us
  • 正向連續電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N1184 技術參數
  • 1N1183R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1183AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N1183A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):40A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N1183 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):35A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1128RA 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N1186AR 1N1186R 1N1187 1N1187A 1N1187AR 1N1187R 1N1188 1N1188A 1N1188AR 1N1188R 1N1189 1N1189A 1N1189AR 1N1189R 1N1190 1N1190A 1N1190AR 1N1190R
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