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TCDT1101G

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TCDT1101G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80%
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 輸入類型
  • DC
  • 最大集電極/發射極電壓
  • 70 V
  • 最大集電極/發射極飽和電壓
  • 0.4 V
  • 絕緣電壓
  • 5300 Vrms
  • 電流傳遞比
  • 100 % to 200 %
  • 最大正向二極管電壓
  • 1.65 V
  • 最大輸入二極管電流
  • 60 mA
  • 最大集電極電流
  • 100 mA
  • 最大功率耗散
  • 100 mW
  • 最大工作溫度
  • + 110 C
  • 最小工作溫度
  • - 55 C
  • 封裝 / 箱體
  • DIP-4
  • 封裝
  • Bulk
TCDT1101G 技術參數
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