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TIP122

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功能描述
達林頓晶體管 NPN Epitaxial Darl
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發射極最大電壓 VCEO
50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

TIP122 技術參數

TIP121 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 TIP120 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 TIP117 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 8mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 TIP115 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 8mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 TIP112 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 8mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 TIP126 TIP126-BP TIP126D TIP126G TIP126TU TIP127 TIP127-BP TIP127FP TIP127G TIP127TU TIP130 TIP131 TIP131G TIP132 TIP132G TIP135 TIP136 TIP137