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參數資料
| 型號： | T221160A-35S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| 中文描述： | 64K的× 16動態RAM快速頁面模式 |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | T221160A-35S |
TE
CH
tm
DRAM
T221160A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P. 1
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2002
Revision:A
64K x 16 DYNAMIC RAM
FAST PAGE MODE
FEATURES
High speed access time : 25/30/35/40 ns
Industry-standard x 16 pinouts and timing
functions.
Single 5V (
±
10%) power supply.
All device pins are TTL- compatible.
256-cycle refresh in 4ms.
Refresh modes: RAS only, CAS BEFORE
RAS (CBR) and HIDDEN.
Conventional FAST PAGE MODE access cycle.
BYTE WRITE and BYTE READ access cycles.
PART NUMBER EXAMPLES
PART NUMBER
ACCESS TIME
PACKAGE
T221160A-30J
30ns
SOJ
T221160A-30S
30ns
35ns
35ns
TSOP-II
SOJ
TSOP-II
T221160A-35J
T221160A-35S
GENERAL DESCRIPTION
The T221160A is a randomly accessed solid state
memory containing 1,048,551 bits organized in a
x16 configuration. The T221160A has both BYTE
WRITE and WORD WRITE access cycles via two
CAS pins. It offers Fast Page mode operation
The T221160A CAS function and timing are
determined by the first CAS to transition low and
by the last to transition back high. Use only one of
the two CAS and leave the other staying high
during WRITE will result in a BYTE WRITE.
CASL transiting low in a WRITE cycle will write
data into the lower byte (IO1~IO8), and CASH
transiting low will write data into the upper byte
(IO9~16).
PIN ASSIGNMENT ( Top View )
I/01
Vcc
I/02
I/03
I/04
I/05
Vcc
I/06
I/07
I/08
NC
NC
NC
A0
A1
Vcc
A2
A3
WE
RAS
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I/016
Vss
I/015
I/014
I/013
I/012
Vss
I/011
I/010
I/09
NC
NC
A7
A6
VSS
A5
A4
CASL
CASH
OE
SOJ
I/01
Vcc
I/02
I/03
I/04
I/05
Vcc
I/06
I/07
I/08
NC
NC
NC
A0
A1
Vcc
A2
A3
WE
RAS
40
39
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37
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19
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I/016
Vss
I/015
I/014
I/013
I/012
Vss
I/011
I/010
I/09
NC
NC
A7
A6
VSS
A5
A4
CASL
CASH
OE
TSOP(II)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T224160B | 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T224160B-30 | 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T224160B-35 | 256K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE |
| T224160B-45 | Binary Coded Rotary DIP Switches |
| T224160B-60 | Binary Coded Rotary DIP Switches |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| T221N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHASE CONTROL THYRISTORS |
| T221N08BOF | 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| T221N08EOF | 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| T221N10BOF | 功能描述:SCR模塊 1.8KV 5.7KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| T221N12BOF | 功能描述:SCR模塊 1.2KV 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
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