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參數資料
| 型號： | TC58V16BFT |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 16MB(2M x8Bits)CMOS NAND Flash EEPROM(16MB CMOS 與非閃速EEPROM) |
| 中文描述： | 16MB的（200萬x8Bits）的CMOS NAND型閃存EEPROM（16MB的的CMOS與非閃速的EEPROM） |
| 文件頁數： | 1/36頁 |
| 文件大小： | 1734K |
| 代理商： | TC58V16BFT |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC59S6408BFT-80 | 2M Word x 4 Banks x 8 Bits Synchronous Dynamic RAM(2M 字 x 4組 x 8 位 同步動態 RAM) |
| TC59S6404BFT-80 | 4M Word x 4 Banks x 4 Bits Synchronous Dynamic RAM(4M 字 x 4組 x 4 位 同步動態 RAM) |
| TC59S6404BFTL-10 | 4M Word x 4 Banks x 4 Bits Synchronous Dynamic RAM(4M 字 x 4組 x 4 位 同步動態 RAM) |
| TC59S6408BFTL-10 | 2M Word x 4 Banks x 8 Bits Synchronous Dynamic RAM(2M 字 x 4組 x 8 位 同步動態 RAM) |
| TC59S6416BFTL-10 | 1M Word x 4 Banks x 16 Bits Synchronous Dynamic RAM(1M 字 x 4組 x 16 位 同步動態 RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TC58V32AFT | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:32 Mbit CMOS NAND E2PROM |
| TC58V64ADC | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:64-MBIT (8M X 8BITS) CMOS NAND E PROM (8M BYTE SmartMedia) |
| TC58V64AFT | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58V64BDC | 功能描述:IC 64MBIT NAND FLASH 3V 44-TSOP RoHS:否 類別:存儲卡，模塊 >> 存儲器，PC 卡 系列:- 標準包裝:30 系列:- 存儲容量:8GB 存儲器類型:存儲卡 - Extreme III SD? |
| TC59 | 功能描述:鋁質電解電容器 - 帶引線 50uF 250V RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長度:11 mm 引線間隔:5 mm 產品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |
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