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參數資料
| 型號： | TGL41-43 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1A 60V Schottky Rectifier; Package: SMA; No of Pins: 2; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 5000 |
| 中文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | TGL41-43 |
1
) Non-repetitive current pulse see curve I
PPM
= f (t
r
)
Hchstzulssiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve I
PPM
= f (t
r
)
2
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
3
) Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden
07.01.2003
1
TGL 41-6.8 ... TGL 41-200CA
Surface Mount
unidirectional and bidirectional
Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale
Spannungs-Begrenzer-Dioden
für die Oberflchenmontage
Pulse power dissipation – Impuls-Verlustleistung
400 W
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruch-Spannung
6.8...200 V
Plastic case MELF
Kunststoffgehuse MELF
DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca.
0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
see page 18
siehe Seite 18
Suffix “C” or “CA” for bidirectional types
Suffix “C” oder “CA” für bidirektionale Typen
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s)
T
A
= 25 C
P
PPM
400 W
1
)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
T
A
= 25 C
P
M(AV)
1 W
2
)
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25 C
I
FSM
40 A
3
)
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlaspannung
I
F
= 25 A
V
F
< 3.5 V
3
)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+150 C
– 50…+150 C
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 45 K/W
2
)
Thermal resistance junction to terminal
Wrmewiderstand Sperrschicht – Kontaktflche
R
thT
< 10 K/W
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