- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385923 > TH50VSF2480 (Toshiba Corporation) 4M Bits SRAM（×8×16） And 16M Bits Flash（×8×16） Memory(4M位SRAM和16M Flash 復(fù)合存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TH50VSF2480 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 4M Bits SRAM（×8×16） And 16M Bits Flash（×8×16） Memory(4M位SRAM和16M Flash 復(fù)合存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 4分位的SRAM（× 8 × 16）和16M位閃存（× 8 × 16）內(nèi)存（4分位的SRAM和閃存復(fù)合存儲(chǔ)器1,600） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/31頁(yè) |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | TH50VSF2480 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TH50VSF2481 | 4M Bits SRAM（×8×16） And 16M Bits Flash（×8×16） Memory(4M位SRAM和16M Flash 復(fù)合存儲(chǔ)器) |
| TH58512DC | A Single 3.3V 512MBit(32M × 8Bit) CMOS NAND EEPROM(單片3.3V 512M位(32M × 8位) CMOS NAND EEPROM) |
| TH58512FTI | A Single 3.3V 512MBit(32M × 8Bit) CMOS NAND EEPROM(單片3.3V 512M位(32M × 8位) CMOS NAND EEPROM) |
| TH58512FT | A Single 3.3V 512MBit(32M × 8Bit) CMOS NAND EEPROM(單片3.3V 512M位(32M × 8位) CMOS NAND EEPROM) |
| TH58V128DC | 128 Mbit (16M x 8bit) CMOS NAND E2PROM (16M BYTE SmartMedia⑩) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TH50VSF2580AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2581AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2582 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2582AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH50VSF2583AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
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