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參數資料
| 型號： | THS4271DGNRG4 |
| 廠商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分類： | 音頻／視頻放大 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL, VIDEO PREAMPLIFIER, PDSO8 |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, MSOP-8 |
| 文件頁數： | 11/48頁 |
| 文件大小： | 1227K |
| 代理商： | THS4271DGNRG4 |
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www.ti.com
SLOS397F – JULY 2002 – REVISED OCTOBER 2009
APPLICATION INFORMATION
The die temperature can be approximated with the
MAXIMUM DIE TEMPERATURE TO PREVENT
following formula:
OSCILLATION
Die Temperature = PDISS × θJA + TA
The THS4271 and THS4275 may have low-level
Where:
oscillation when the die temperature (also called
PDISS = (VS+– VS–) × (IQ + ILOAD) – (VOUT × ILOAD)
junction temperature) exceeds +60°C.
Table 1 shows the estimated the maximum ambient
The oscillation is a result of the internal design of the
temperature (TA max) in degrees Celsius for each
bias circuit, and external configuration is not expected
package option of the THS4271 and THS4275 using
to mitigate or reduce the problem. This problem
the thermal dissipation rating given in the Dissipation
occurs
randomly
because
of
normal
process
Ratings table for a JEDEC standard High-K test PCB.
variations and normal testing cannot identify problem
For each case shown, RL = 499 Ω to ground and the
units.
quiescent current = 27 mA (the maximum over the
0°C to +70°C temperature range). The last entry for
replacement devices.
each
package
option
(shaded
cells)
lists
the
worst-case scenario where the power supply is
The
die
temperature
depends
on
the
power
single-supply 10 V and ground and the output voltage
dissipation and the thermal resistance of the device.
is 5 V DC.
space
Table 1. Estimated Maximum Ambient Temperature Per Package Option
PACKAGE
DEVICE
VS+
VS–
VOUT
θJA
TA max
SOIC
0 V
33.7°C
THS4271D
2 VPP
32.4°C
THS4271DR
5 V
–5 V
4 VPP
31.3°C
97.5°C/W
THS4275D
6 VPP
30.4°C
THS4275DR
8 VPP
29.7°C
Worst Case
10 V
0 V
5 DC
28.8°C
VSON
0 V
47.6°C
THS4271DRBT
2 VPP
47.0°C
THS4271DRBR
5 V
–5 V
4 VPP
46.5°C
45.8°C/W
THS4275DRBT
6 VPP
46.1°C
THS4275DRBR
8 VPP
45.8°C
Worst Case
10 V
0 V
5 DC
45.3°C
PowerPad MSOP
0 V
44.2°C
THS4271DGN
2 VPP
43.5°C
THS4271DGNR
5 V
–5 V
4 VPP
42.8°C
58.4°C/W
THS4275DGN
6 VPP
42.3°C
THS4275DGNR
8 VPP
41.9°C
Worst Case
10 V
0 V
5 DC
41.3°C
MSOP
0 V
–10.2°C
THS4271DGK
2 VPP
–13.6°C
THS4271DGKR
5 V
–5 V
4 VPP
–16.5°C
260°C/W
THS4275DGK
6 VPP
–18.9°C
THS4275DGKR
8 VPP
–20.8°C
Worst Case
10 V
0 V
5 DC
–23.2°C
Copyright 2002–2009, Texas Instruments Incorporated
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THS4271DRB | VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4275DRB | VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271MDEP | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271MDGNTEP | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271MDREP | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| THS4271DR | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRBR | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRBRG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRBT | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRBTG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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