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參數資料
| 型號： | TIL102 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | GALLIUM ARSENIDE DIODE INFRARED SOURCE OPTICALLY COUPLED TO A HIGH-GAIN N-P-N SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | 砷化鎵二極管紅外源光耦合的高增益NPN硅光電晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | TIL102 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIL103 | GALLIUM ARSENIDE DIODE INFRARED SOURCE OPTICALLY COUPLED TO A HIGH-GAIN N-P-N SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| TIL117-M | GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| TIL194 | HIGH DENSITY A.C. INPUT PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS |
| TIL194AX | HIGH DENSITY A.C. INPUT PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS |
| TIL194BX | HIGH DENSITY A.C. INPUT PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIL103 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:GALLIUM ARSENIDE DIODE INFRARED SOURCE OPTICALLY COUPLED TO A HIGH-GAIN N-P-N SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| TIL111 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TIL111_Q | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TIL111300 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor DIP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TIL111300W | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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