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參數資料
| 型號： | TIP116 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors |
| 中文描述： | 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 722K |
| 代理商： | TIP116 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP115 | CIRCUIT BREAKER, QDP32225TP |
| TIP116 | IRON SCREEN ACCESSORY FOR TOROID SENSOR |
| TIP115 | Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors |
| TIP116 | RECTANGULAR SENSOR, 470 X 160 MM 3200A |
| TIP116 | FIFTH JAW KIT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP116 LEADFREE | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP116119 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| TIP116-B | 功能描述:達林頓晶體管 2.0A 80V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP116-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2.0A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP116G | 功能描述:達林頓晶體管 2A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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