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參數資料
| 型號： | TIP146F |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors |
| 中文描述： | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | TIP146F |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, December 2002
T
PNP Epitaxial Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Emitter Voltage : TIP145F
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Value
- 60
- 80
- 100
- 60
- 80
- 100
- 5
- 10
- 15
- 0.5
60
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
: TIP146F
: TIP147F
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : TIP145F
: TIP146F
: TIP147F
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
: TIP145F
: TIP146F
: TIP147F
I
C
= - 30mA, I
B
= 0
- 60
- 80
- 100
V
V
V
I
CEO
Collector Cut-off Current
: TIP145F
: TIP146F
: TIP147F
V
CE
= - 30V, I
B
= 0
V
CE
= - 40V, I
B
= 0
V
CE
= - 50V, I
B
= 0
- 2
- 2
- 2
mA
mA
mA
I
CBO
Collector Cut-off Current
: TIP145F
: TIP146F
: TIP147F
V
CB
= - 60V, I
E
= 0
V
CB
= - 80V, I
E
= 0
V
CB
= - 100V, I
E
= 0
V
BE
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 4V, I
C
= - 5A
V
CE
= - 4V, I
C
= - 10A
I
C
= - 5A, I
B
= - 10mA
I
C
= - 10A, I
B
= - 40mA
I
C
= - 10A, I
B
= - 40mA
V
CE
= - 4V, I
C
= - 10A
V
CC
= - 30V, I
C
= - 5A
I
B1
= -20mA, I
B2
= 20mA
R
L
= 6
- 1
- 1
- 1
- 2
mA
mA
mA
mA
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
1000
500
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 2
- 3
- 3.5
- 3
V
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
t
D
t
R
t
STG
t
f
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
0.15
0.55
2.5
2.5
TIP145F/146F/147F
Monolithic Construction With Built In Base-
Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain : h
FE
= 1000 @ V
CE
= -4V, I
C
= -5A (Min.)
Industrial Use
Complement to TIP140F/141F/142F
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
R1
R2
8k
0.12k
TO-3PF
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP146F | PNP (HIGH DC CURRENT GAIN) |
| TIPL757 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL757A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL777 | N-P-N SILICON HIGH VOLTAGE ADVANCED POWER DARLINGTONS |
| TIPL777A | N-P-N SILICON HIGH VOLTAGE ADVANCED POWER DARLINGTONS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP146FTU | 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP146G | 功能描述:達林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP146-S | 功能描述:達林頓晶體管 PNP DARLINGTON 80V 10A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP146T | 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP146TTU | 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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