- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄358478 > TIP29A-DR6260 (HARRIS SEMICONDUCTOR) 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | TIP29A-DR6260 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | TIP29A-DR6260 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP29D | 1 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| TIP30B-DR6269 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| TIP30B-6200 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| TIP31C-DR6260 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| TK10691MTL-G | COMPANDER, 0.02 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP29AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP29A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 1A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP29ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/60V/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP29B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP29-B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。