欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: TIP29B
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 80-100 VOLTS 30 WATTS
中文描述: 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 137K
代理商: TIP29B
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Compact TO–220 AB package.
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
VCB
VEB
TIP30B
TIP30C
Vdc
Vdc
Vdc
100
100
5.0
80
80
30
Watts
(See Note 3)
Thermal Resistance, Junction to Case
R
4.167
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0)
TIP29B, TIP30B
Min
Max
Unit
200
DC Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.0 Adc, IB = 125 mAdc)
Base–Emitter On Voltage (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
(3) This rating based on testing with LC = 20 mH, RBE = 100
, VCC = 10 V, IC = 1.8 A, P.R.F = 10 Hz.
REV 1
VCE(sat)
VBE(on)
15
75
0.7
1.3
Vdc
Vdc
20
2.0%.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by TIP29B/D
1 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
80–100 VOLTS
30 WATTS
CASE 221A–06
相關PDF資料
PDF描述
TIP3055 Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
TIP3055 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
TIP30A Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補型硅塑料功率晶體管)
TIP29A Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補型硅塑料功率晶體管)
TIP29B Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補型硅塑料功率晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
TIP29-B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP29B-B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP29B-BP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP29BG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP29-BP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
主站蜘蛛池模板: 甘南县| 阿尔山市| 旬邑县| 尼玛县| 南乐县| 托克逊县| 和政县| 台北县| 四川省| 江永县| 北宁市| 蓬安县| 尉氏县| 平陆县| 桑植县| 延庆县| 太康县| 天水市| 武陟县| 永善县| 清徐县| 南靖县| 隆回县| 濮阳市| 漳平市| 青岛市| 北安市| 婺源县| 原阳县| 莲花县| 白山市| 义乌市| 霍州市| 图木舒克市| 儋州市| 灌云县| 阿勒泰市| 许昌县| 夏河县| 三明市| 巴马|