型號: | TIP29B |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 1 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 80-100 VOLTS 30 WATTS |
中文描述: | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 137K |
代理商: | TIP29B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TIP3055 | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
TIP3055 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
TIP30A | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補型硅塑料功率晶體管) |
TIP29A | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補型硅塑料功率晶體管) |
TIP29B | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互補型硅塑料功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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TIP29-B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP29B-B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP29B-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP29BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP29-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |